半導體乾蝕刻技術

者:
期:
2015/02/28
79
250198

內容簡介

日本生產工程權威獎項得主力作,圖解與表格詳實,帶領工程師掌握半導體乾蝕刻技術的全貌,提升現場即戰力。

產品目錄

序言
譯者序

第1章 半導體積體電路的發展與乾蝕刻技術
1.1 乾蝕刻的概要
1.2 關於乾蝕刻的評鑑參數
1.3 在大型積體電路上乾蝕刻技術所扮演的角色
參考文獻

第2章 乾蝕刻的機制
2.1 電漿的基礎
1 電漿是什麼
2 電漿的各物理量
3 電漿中的碰撞反應過程
2.2 離子鞘以及離子鞘內的離子行為
1 離子鞘與Vdc
2 離子鞘內的離子散射
2.3 蝕刻製程的建構方法
1 乾蝕刻的反應過程
2 非等向性蝕刻的機制
3 側壁保護過程
4 蝕刻率
5 選擇比
6 總結
參考文獻

第3章 各種材料的蝕刻
3.1 閘極蝕刻
1 Poly-Si閘極蝕刻
2 晶圓面內CD均勻度的控制
3 WSi2/Poly-Si閘極蝕刻
4 W/WN/Poly-Si閘極蝕刻
5 Si基板的蝕刻
3.2 SiO2蝕刻
1 SiO2蝕刻的機制
2 SiO2蝕刻的關鍵參數
3 孔洞系列的蝕刻
4 SAC蝕刻
5 Spacer蝕刻
3.3 連線蝕刻
1 Al連線蝕刻
2 Al連線的防腐蝕處理技術
3 其它連線材料的蝕刻
3.4 總結
參考文獻

第4章 乾蝕刻設備
4.1 乾蝕刻設備的歷史
4.2 圓筒型電漿蝕刻機
4.3 CCP電漿蝕刻機
4.4 磁電管RIE
4.5 ECR電漿蝕刻機
4.6 ICP電漿蝕刻機
4.7 乾蝕刻設備的實例
4.8 靜電吸盤
1 靜電吸盤的種類以及吸附原理
2 晶圓溫度控制的原理
參考文獻

第5章 乾蝕刻損傷
5.1 導入Si表層的損傷
5.2 充電損傷
1 充電損傷的評鑑方法
2 充電的發生機制
3 各種蝕刻設備的充電評鑑與減低方法
4 起因於圖形的閘極氧化層破壞
參考文獻

第6章 新蝕刻技術
6.1 Cu 鑲嵌蝕刻
6.2 Low-k蝕刻
6.3 使用多孔型Low-k的鑲嵌連線
6.4 金屬閘極/High-k蝕刻
6.5 FinFET蝕刻
6.6 雙重圖形定義
6.7 用於3D IC的蝕刻技術
參考文獻

第7章 乾蝕刻技術今後的課題與展望
7.1 關於乾蝕刻的技術革新
7.2 今後的課題與展望
7.3 作為工程師的心理準備
參考文獻

作者介紹

■作者簡介

野尻一男(Nojiri Kazuo)
1973年 群馬大學工學部電子工學科畢業。
1975年 群馬大學大學院工學研究科碩士課程修畢。
1975年 進入日立製作所。在半導體事業部從事CVD、元件整合、乾蝕刻的研究開發。尤其是關於ECR電漿蝕刻、充電損傷,進行先驅的研究。而且擔任技術開發的領導,歷任許多經理職務。
2000年 進入Lam Research公司擔任董事‧CTO至今。

主要受獎
1989年 以「有磁場微波電漿蝕刻技術的開發與實用化」受獎大河內紀念賞。
1994年 以「低溫乾蝕刻設備的開發」受獎機械振興協會賞通產大臣賞。

主要著作
《先端電気化学》(丸善)共著
《半導体プロセスにおけるチャージング・ダメージ》(リアライズ社)共著

■譯者簡介

倪志榮(Ni, Chih-Jung)
1988年 國立清華大學畢業
1991年 中日交流協會留日獎學生
1993年 日本東京大學工學院碩士
2014年 中部科學園區模範勞工
曾任地球村美日語中心日語講師

現職華邦電子公司模組技術發展部經理,從事DRAM與Flash的製程研發。

規格

誠品貨碼 / 2681006426001
ISBN13 / 9789863581291
ISBN10 / 9863581291
EAN貨碼 / 9789863581291
頁數 / 176
開數 / 16K
注音版 / 否
裝訂 / P:平裝
語言 / 1:中文/繁體
級別 / N:無

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