半導體製程技術導論 (第5版) | 誠品線上

半導體製程技術導論 (第5版)

內容簡介

內容簡介 本書譯自Hong Xiao(蕭宏) 原著「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第三版)(英文書第三版尚未出版)，提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，是半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作。本書適用於大學、科大電子、電機、資工、機械系『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。

產品目錄

產品目錄 目錄第一章 導論1.1 簡史1.2 概述1.3 本章總結習題參考文獻第二章 積體電路製程介紹2.1 IC製程簡介2.2 IC的良率2.3 無塵室技術2.4 IC晶圓廠的基本結構2.5 IC測試與封裝2.6 近期的發展2.7 本章總結習題參考文獻第三章 半導體基礎3.1 半導體基本概念3.2 半導體基本元件3.3 IC晶片3.4 IC基本製程3.5 互補式金屬氧化物電晶體3.6 2000後半導體製程發展趨勢3.7 本章總結習題參考文獻第四章 晶圓製造、磊晶成長和基板工程4.1 簡介4.2 為什麼使用矽材料4.3 晶體結構與缺陷4.4 從矽砂到晶圓4.5 磊晶矽生長技術4.6 基板工程4.7 未來趨勢4.8 本章總結習題參考文獻第五章 加熱製程5.1 簡介5.2 加熱製程的硬體設備5.3 氧化製程5.4 擴散5.5 退火過程5.6 高溫化學氣相沉積5.7 快速加熱製程(RTP)系統5.8 加熱製程近年發展5.9 本章總結習題參考文獻第六章 微影製程6.1 簡介6.2 光阻6.3 微影製程6.4 微影技術的發展趨勢6.5 其他微影製程方法6.6 極紫外光(EUV)微影技術6.7 安全性6.8 本章總結習題參考文獻第七章 電漿製程7.1 簡介7.2 電漿基本概念7.3 電漿中的碰撞7.4 電漿參數7.5 離子轟擊7.6 直流偏壓7.7 電漿製程優點7.8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器7.9 遠距電漿製程7.10 高密度電漿(HDP)製程7.11 本章總結習題參考文獻第八章 離子佈植製程8.1 簡介8.2 離子佈植技術簡介8.3 離子佈植技術硬體設備8.4 離子佈植製程8.5 安全性8.6 近年發展及應用8.7 本章總結習題參考文獻第九章 蝕刻製程9.1 蝕刻製程簡介9.2 蝕刻製程基礎9.3 濕式蝕刻製程9.4 電漿(乾式)蝕刻製程9.5 電漿蝕刻製程9.6 蝕刻製程發展趨勢9.7 蝕刻工藝的檢驗和計量9.8 最新進展9.9 本章總結習題參考文獻第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜10.1 簡介10.2 化學氣相沉積10.3 介電質薄膜的應用於CMOS IC10.4 介電質薄膜特性10.5 介電質CVD製程10.6 旋轉塗佈矽玻璃(Spin-on Glass,SOG)10.7 高密度電漿CVD(HDP-CVD)10.8 介電質CVD反應室清潔10.9 新千禧年的介電質材料10.10 本章總結習題參考文獻第十一章 金屬化製程11.1 簡介11.2 導電薄膜11.3 金屬薄膜特性11.4 金屬化學氣相沉積11.5 物理氣相沉積11.6 銅金屬化製程11.7 最新進展11.8 安全性11.9 本章總結習題參考文獻第十二章 化學機械研磨製程12.1 簡介12.2 CMP硬體設備12.3 CMP研磨漿12.4 CMP基本理論12.5 CMP製程12.6 CMP製程近年發展12.7 本章總結習題參考文獻第十三章 半導體製程整合13.1 簡介13.2 晶圓準備13.3 隔離技術13.4 井區形成13.5 電晶體製造13.6 高k金屬閘極MOSFET13.7 連線技術13.8 鈍化13.9 本章總結習題參考文獻第十四章 IC製程技術14.1 簡介14.2 1980年代CMOS製程流程14.3 1990年代CMOS製程流程14.4 2000年代CMOS製程流程14.5 2010年代CMOS製程流程14.6 記憶體晶片製造製程14.7 本章總結習題參考文獻第十五章 3D IC元件的製造過程15.1 引言15.2 埋入式閘極字元線DRAM15.3 3D-NAND 快閃記憶體15.4 高介電質、金屬閘極FinFET CMOS製造15.5 本章總結習題參考文獻第十六章 總結與未來趨勢參考文獻

商品規格

最佳賣點

最佳賣點 : 1.內容集中在最新的積體電路製程技術(如3D IC技術、EUV微影技術、FinFET等)，也兼顧早期的技術以便讀者對積體電路製程技術的歷史發展有更完整的瞭解。
2.提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理說明與應用，使讀者熟悉各種加工原理及其應用領域，以作為投入電子工業之基礎訓練課程。