矽元件與積體電路製程 (修訂第2版)

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內容簡介

此書為探討「矽元件與積體電路製程」之教科書。
本書第1、2章探討矽半導體材料之特性。從矽導體之物理概念開始，一直到半導體結構、能帶作完整的解說。
第3、4章則說明積體電路的原理、結構及製程。
第5、6章則著重於矽晶圓的配製。全書通用於大學、科大電子、電機系「積體電路製程」或「半導體物理與元件」課程或相關業界人士及有興趣之讀者。

作者介紹

■作者簡介

李明逵

幕後故事

本書目錄

第0章　半導體與積體電路之發展史
0-1　半導體之緣起
0-2　電晶體
0-3　積體電路
0-4　半導體製程

第1章　半導體物理與材料(一)
1-1　原子模型與週期表
1-2　晶體結構
1-3　物質種類
1-4　本矽，質量作用定律
1-5　摻雜質，負型和正型

第2章　半導體物理與材料(二)
2-1　能帶
2-2　電阻係數與薄片電阻
2-3　載子傳輸

第3章　積體電路(I)：半導體元件
3-1　二極體
3-2　雙載子電晶體
3-3　金氧半場效電晶體
3-4　互補金氧半場效電晶體
3-5　電阻
3-6　電容
3-7　電感

第4章　積體電路(II)：製程、電路與佈局
4-1　雙載子製程技術
4-2　MOS製程技術
4-3　電路與積體電路
4-4　IC設計原則
4-5　佈局原則

第5章　矽晶圓之製作(一)
5-1　原料配製
5-2　矽晶棒生長
5-3　晶片方向、切割和拋光

第6章　矽晶圓之製作(二)
6-1　晶體方向
6-2　晶體生長時摻雜質之分佈
6-3　晶體缺陷
6-4　十二吋晶圓效益分析

第7章　矽磊晶的成長(一)
7-1　磊晶膜
7-2　磊晶原理
7-3　磊晶膜之生長程序

第8章　矽磊晶的成長(二)
8-1　磊晶系統
8-2　磊晶膜之評估

第9章　氧化製程(一)
9-1　二氧化矽與氧化
9-2　熱氧化爐
9-3　氧化程序
9-4　氧化膜之評估
9-5　氧化膜品質改進方法

第10章　氧化製程(二)
10-1　氧化膜厚度之決定
10-2　氧化反應
10-3　薄氧化層
10-4　熱氧化時摻雜原子之重行分佈

第11章　摻雜質之擴散植入(一)
11-1　擴散概念
11-2　擴散過程
11-3　擴散之分佈曲線

第12章　摻雜質之擴散植入(二)
12-1　離子植入
12-2　火退火
12-3　離子佈植在CMOS積體電路製程上的應用
12-4　離子佈植製程實務

第13章　微影蝕刻術(一)
13-1　微影蝕刻技術
13-2　光罩之製作
13-3　光微影術
13-4　微影術之光源

第14章　微影蝕刻術(二)
14-1　濕、乾蝕刻
14-2　濕蝕刻
14-3　乾蝕刻
14-4　乾蝕刻反應器

第15章　化學氣相沈積
15-1　化學氣相沈積概念
15-2　化學氣相沈積流程
15-3　低壓化學氣相沈積
15-4　電漿化學氣相沈積
15-5　光照射化學氣相沈積
15-6　液相沈積

第16章　金屬接觸與蒸著
16-1　金屬化之要求
16-2　真空蒸著
16-3　蒸著技術
16-4　真空蒸著程序
16-5　合金／火退火
16-6　銅製程技術

第17章　製程潔淨控制與安全(一)
17-1　潔淨程序與藥品
17-2　水
17-3　空氣／無塵室
17-4　人員
17-5　化學藥品
17-6　氣體

第18章　製程潔淨控制與安全(二)
18-1　高壓氣瓶
18-2　設備上應注意事項
18-3　廢氣之排放
18-4　緊急時應注意事項

第19章　半導體元件之縮小
19-1　金氧半電晶體之縮小化
19-2　短通道效應

第20章　積體電路封裝
20-1　積體電路封裝
20-2　封裝分類
20-3　封裝流程

曲目

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贈品說明

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