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VLSI概論

VLSI概論


作者  /  張勁燕

出版社 / 五南圖書出版股份有限公司

出版日期 / 2008/12/10

商品語言 / 中文/繁體

裝訂 / 平裝

定價 / NT$650

售價 / 9折, NT$ 585

※ 無庫存


VLSI概論 其它優惠/消息


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內容簡介

矽積體電路製程的特徵尺寸縮小到深次微米(deep submicron meter),經歷幾個階段,0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.13μm、,現階段已到達0.07μm。相關的製程、設備、材料或場務設施,都有革命性的更新和進步。微影照像是受到影響最大的製程。DRAM的電晶體的閘極結構和材料、工程。高介電常數材料使電容量保持夠大。金屬化製程、阻障層、內嵌、快閃、鐵電記憶體結構等。高深寬比的乾蝕刻製程需要高密度電漿;降低阻容延遲(RC delay)使用低介電常數材料和銅製程。新製程有雙大馬士革(dual damascene)、電鍍(electroplating)、無電極電鍍(electroless plating)和/或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)。21世紀顯學奈米科技更製作出單電子電晶體。晶圓尺寸由8吋擴大到12吋,為的不止是提高良率、提高機器使用率;也考慮到生產力,節省工廠面積、還要兼顧人工學(ergonomics)和減少化學藥液以利環保。

本書配合拙著電子材料、半導體製程設備、工業電子學構成一完整系列。期望給想從事半導體的同學和研究生,或和半導體製程相關行業的工程師、經理、教授、老師們一項便捷的參考。








詳細資料

誠品26碼 /2680408336000
ISBN 13 /9789571152455
ISBN 10 /9571152455
EAN /9789571152455

頁數528
開數16K
裝訂平裝
級別
語言中文/繁體


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